| 型号： | BAS21,215 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | DIODE GEN-PRUP 200V 200MA SOT23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 |
| BAS21,215 PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-23 Circuit |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大） | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.25V @ 200mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1509 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-1598-1 |